ຍິນດີຕ້ອນຮັບເຂົ້າສູ່ເວັບໄຊທ໌ຂອງພວກເຮົາ!

ອົງປະກອບຫຼັກຂອງລະບົບການເກັບຮັກສາພະລັງງານ -IGBT

ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງລະບົບການເກັບຮັກສາພະລັງງານສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍຫມໍ້ໄຟແລະ inverters ການເກັບຮັກສາພະລັງງານ.ທັງ​ຫມົດ​ຂອງ​ທັງ​ສອງ​ປະ​ກອບ​ເປັນ 80​% ຂອງ​ຄ່າ​ໃຊ້​ຈ່າຍ​ຂອງ​ລະ​ບົບ​ການ​ເກັບ​ຮັກ​ສາ​ພະ​ລັງ​ງານ electrochemical​, ໃນ​ນັ້ນ inverter ການ​ເກັບ​ຮັກ​ສາ​ພະ​ລັງ​ງານ​ກວມ​ເອົາ 20​%​.IGBT insulating grid bipolar crystal ແມ່ນວັດຖຸດິບຊັ້ນເທິງຂອງ inverter ການເກັບຮັກສາພະລັງງານ.ການປະຕິບັດຂອງ IGBT ກໍານົດການປະຕິບັດຂອງ inverter ການເກັບຮັກສາພະລັງງານ, ກວມເອົາ 20% -30% ຂອງມູນຄ່າຂອງ inverter ໄດ້.

ພາລະບົດບາດຕົ້ນຕໍຂອງ IGBT ໃນຂົງເຂດການເກັບຮັກສາພະລັງງານແມ່ນການຫັນປ່ຽນ, ການແປງຄວາມຖີ່, ການປ່ຽນ intervolution, ແລະອື່ນໆ, ເຊິ່ງເປັນອຸປະກອນທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການເກັບຮັກສາພະລັງງານ.

ຮູບ: ໂມດູນ IGBT

dytd (1)

ວັດຖຸດິບຊັ້ນເທິງຂອງຕົວແປການເກັບຮັກສາພະລັງງານປະກອບມີ IGBT, capacitance, ຄວາມຕ້ານທານ, ການຕໍ່ຕ້ານໄຟຟ້າ, PCB, ແລະອື່ນໆ. ໃນບັນດາພວກເຂົາ, IGBT ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຂຶ້ນກັບການນໍາເຂົ້າ.ຍັງມີຊ່ອງຫວ່າງລະຫວ່າງ IGBT ພາຍໃນປະເທດໃນລະດັບເຕັກໂນໂລຢີແລະລະດັບຊັ້ນນໍາຂອງໂລກ.ຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ດ້ວຍການພັດທະນາຢ່າງໄວວາຂອງອຸດສາຫະກໍາການເກັບຮັກສາພະລັງງານຂອງຈີນ, ຂະບວນການຜະລິດພາຍໃນປະເທດຂອງ IGBT ຍັງຄາດວ່າຈະເລັ່ງລັດ.

ມູນຄ່າຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການເກັບຮັກສາພະລັງງານ IGBT

ເມື່ອປຽບທຽບກັບ photovoltaic, ມູນຄ່າຂອງການເກັບຮັກສາພະລັງງານ IGBT ແມ່ນຂ້ອນຂ້າງສູງ.ການເກັບຮັກສາພະລັງງານໃຊ້ IGBT ແລະ SIC ຫຼາຍຂຶ້ນ, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍສອງເຊື່ອມຕໍ່: DCDC ແລະ DCAC, ລວມທັງສອງວິທີແກ້ໄຂ, ຄືລະບົບການເກັບຮັກສາ optical ປະສົມປະສານແລະລະບົບການເກັບຮັກສາພະລັງງານແຍກຕ່າງຫາກ.ລະບົບການເກັບຮັກສາພະລັງງານເອກະລາດ, ຈໍານວນຂອງອຸປະກອນ semiconductor ພະລັງງານແມ່ນປະມານ 1.5 ເທົ່າຂອງ photovoltaic.ໃນປັດຈຸບັນ, ການເກັບຮັກສາ optical ອາດຈະກວມເອົາຫຼາຍກ່ວາ 60-70%, ແລະລະບົບການເກັບຮັກສາພະລັງງານແຍກຕ່າງຫາກກວມເອົາ 30%.

ຮູບ: BYD IGBT ໂມດູນ

dytd (2)

IGBT ມີລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງຊັ້ນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ, ເຊິ່ງເປັນປະໂຫຍດຫຼາຍກ່ວາ MOSFET ໃນ inverter ການເກັບຮັກສາພະລັງງານ.ໃນໂຄງການຕົວຈິງ, IGBT ໄດ້ຄ່ອຍໆປ່ຽນ MOSFET ເປັນອຸປະກອນຫຼັກຂອງເຄື່ອງປ່ຽນໄຟຟ້າ photovoltaic ແລະການຜະລິດພະລັງງານລົມ.ການພັດທະນາຢ່າງໄວວາຂອງອຸດສາຫະກໍາການຜະລິດພະລັງງານພະລັງງານໃຫມ່ຈະກາຍເປັນແຮງຂັບເຄື່ອນໃຫມ່ສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ IGBT.

IGBT ເປັນອຸປະກອນຫຼັກສໍາລັບການຫັນເປັນພະລັງງານແລະການສົ່ງຕໍ່

IGBT ສາມາດເຂົ້າໃຈໄດ້ຢ່າງສົມບູນວ່າເປັນ transistor ທີ່ຄວບຄຸມເອເລັກໂຕຣນິກສອງທາງ (ຫຼາຍທິດທາງ) ໄຫຼດ້ວຍການຄວບຄຸມວາວ.

IGBT ເປັນອຸປະກອນ semiconductor ພະລັງງານຄວບຄຸມແຮງດັນເຕັມທີ່ປະກອບດ້ວຍ BJT bipolar triode ແລະ insulating grid field effect tube.ຂໍ້ດີຂອງສອງດ້ານຂອງການຫຼຸດລົງຄວາມກົດດັນ.

ຮູບ: ແຜນວາດໂຄງສ້າງໂມດູນ IGBT

dytd (3)

ຫນ້າທີ່ສະຫຼັບຂອງ IGBT ແມ່ນເພື່ອປະກອບເປັນຊ່ອງທາງໂດຍການເພີ່ມຄ່າບວກກັບແຮງດັນປະຕູເພື່ອໃຫ້ກະແສພື້ນຖານໃຫ້ກັບ transistor PNP ເພື່ອຂັບ IGBT.ໃນທາງກັບກັນ, ເພີ່ມແຮງດັນປະຕູທາງກົງກັນຂ້າມເພື່ອກໍາຈັດຊ່ອງທາງ, ໄຫຼຜ່ານກະແສໄຟຟ້າຂອງພື້ນຖານ, ແລະປິດ IGBT.ວິທີການຂັບລົດຂອງ IGBT ໂດຍພື້ນຖານແລ້ວແມ່ນຄືກັນກັບຂອງ MOSFET.ມັນພຽງແຕ່ຕ້ອງການຄວບຄຸມການປ້ອນຂໍ້ມູນ N one -channel MOSFET, ສະນັ້ນມັນມີລັກສະນະ impedance ຂາເຂົ້າສູງ.

IGBT ເປັນອຸປະກອນຫຼັກຂອງການຫັນເປັນພະລັງງານແລະລະບົບສາຍສົ່ງ.ມັນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກທົ່ວໄປເປັນ "CPU" ຂອງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກໄຟຟ້າ.ໃນຖານະເປັນອຸດສາຫະກໍາທີ່ພົ້ນເດັ່ນທາງດ້ານຍຸດທະສາດແຫ່ງຊາດ, ມັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸປະກອນພະລັງງານໃຫມ່ແລະຂົງເຂດອື່ນໆ.

IGBT ມີຄວາມໄດ້ປຽບຫຼາຍລວມທັງ impedance ຂາເຂົ້າສູງ, ພະລັງງານຄວບຄຸມຕ່ໍາ, ວົງຈອນການຂັບລົດງ່າຍດາຍ, ຄວາມໄວສະຫຼັບໄວ, ຂະຫນາດໃຫຍ່ - ລັດໃນປະຈຸບັນ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມກົດດັນ diversion, ແລະການສູນເສຍຂະຫນາດນ້ອຍ.ດັ່ງນັ້ນ, ມັນມີຄວາມໄດ້ປຽບຢ່າງແທ້ຈິງໃນສະພາບແວດລ້ອມຕະຫຼາດໃນປະຈຸບັນ.

ດັ່ງນັ້ນ, IGBT ໄດ້ກາຍເປັນທີ່ນິຍົມທີ່ສຸດຂອງຕະຫຼາດ semiconductor ພະລັງງານໃນປະຈຸບັນ.ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຫຼາຍຂົງເຂດເຊັ່ນ: ການຜະລິດພະລັງງານໃຫມ່, ຍານພາຫະນະໄຟຟ້າແລະ piles ສາກໄຟ, ເຮືອໄຟຟ້າ, ລະບົບສາຍສົ່ງ DC, ການເກັບຮັກສາພະລັງງານ, ການຄວບຄຸມໄຟຟ້າອຸດສາຫະກໍາແລະການປະຫຍັດພະລັງງານ.

ຮູບ:ອິນຟິເນນໂມດູນ IGBT

dytd (4)

ການຈັດປະເພດ IGBT

ອີງຕາມໂຄງສ້າງຜະລິດຕະພັນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, IGBT ມີສາມປະເພດ: ທໍ່ດຽວ, ໂມດູນ IGBT ແລະໂມດູນພະລັງງານ smart IPM.

(ປ່ຽງສາກໄຟ) ແລະພາກສະຫນາມອື່ນໆ (ສ່ວນຫຼາຍແມ່ນຜະລິດຕະພັນ modular ດັ່ງກ່າວຂາຍໃນຕະຫຼາດປະຈຸບັນ).ໂມດູນພະລັງງານອັດສະລິຍະ IPM ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນພາກສະຫນາມຂອງເຄື່ອງໃຊ້ໃນເຮືອນສີຂາວເຊັ່ນ: ເຄື່ອງປັບອາກາດ inverter ແລະເຄື່ອງຊັກຜ້າການປ່ຽນແປງຄວາມຖີ່.

dytd (5)

ອີງຕາມແຮງດັນຂອງສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ, IGBT ມີປະເພດເຊັ່ນ: ແຮງດັນຕ່ໍາ, ແຮງດັນຕ່ໍາ, ແຮງດັນກາງແລະແຮງດັນສູງ.

ໃນບັນດາພວກເຂົາ, IGBT ທີ່ໃຊ້ໂດຍຍານພາຫະນະພະລັງງານໃຫມ່, ການຄວບຄຸມອຸດສາຫະກໍາ, ແລະເຄື່ອງໃຊ້ໃນຄົວເຮືອນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນແຮງດັນປານກາງ, ໃນຂະນະທີ່ການຂົນສົ່ງທາງລົດໄຟ, ການຜະລິດພະລັງງານໃຫມ່ແລະຕາຂ່າຍໄຟຟ້າ smart ມີຄວາມຕ້ອງການແຮງດັນສູງ, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ IGBT ແຮງດັນສູງ.

dytd (6)

IGBT ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປາກົດຢູ່ໃນຮູບແບບຂອງໂມດູນ.ຂໍ້ມູນ IHS ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າອັດຕາສ່ວນຂອງໂມດູນແລະທໍ່ດຽວແມ່ນ 3: 1. ໂມດູນແມ່ນຜະລິດຕະພັນ semiconductor modular ທີ່ຜະລິດໂດຍຊິບ IGBT ແລະ FWD (ຊິບ diode ສືບຕໍ່) ຜ່ານຂົວວົງຈອນທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ແລະຜ່ານກອບພາດສະຕິກ, ຊັ້ນຍ່ອຍແລະ substrates. , ແລະອື່ນໆ.

Mສະ​ຖາ​ນະ​ການ​ຕະ​ຫຼາດ​:

ບໍລິສັດຈີນມີການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງໄວວາ, ແລະປະຈຸບັນພວກເຂົາແມ່ນຂຶ້ນກັບການນໍາເຂົ້າ

ໃນປີ 2022, ອຸດສາຫະກໍາ IGBT ຂອງປະເທດຂອງຂ້ອຍມີຜົນຜະລິດ 41 ລ້ານ, ຄວາມຕ້ອງການປະມານ 156 ລ້ານ, ແລະອັດຕາທີ່ພຽງພໍດ້ວຍຕົນເອງແມ່ນ 26.3%.ໃນປັດຈຸບັນ, ຕະຫຼາດ IGBT ພາຍໃນປະເທດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຄອບຄອງໂດຍຜູ້ຜະລິດຕ່າງປະເທດເຊັ່ນ: Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, ແລະ Fuji Electric, ໃນນັ້ນອັດຕາສ່ວນສູງສຸດແມ່ນ Yingfei Ling, ເຊິ່ງແມ່ນ 15.9%.

ຕະຫຼາດໂມດູນ IGBT CR3 ບັນລຸ 56.91%, ແລະສ່ວນແບ່ງທັງຫມົດຂອງຜູ້ຜະລິດພາຍໃນປະເທດ Star Director ແລະຍຸກຂອງ CRRC 5.01% ແມ່ນ 5.01%.ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງຜູ້ຜະລິດສາມອັນດັບສູງສຸດຂອງອຸປະກອນການແບ່ງປັນ IGBT ທົ່ວໂລກບັນລຸ 53.24%.ຜູ້ຜະລິດພາຍໃນປະເທດໄດ້ເຂົ້າໄປໃນສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດເທິງສິບຂອງອຸປະກອນ IGBT ທົ່ວໂລກທີ່ມີສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງ 3.5%.

dytd (7)

IGBT ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປາກົດຢູ່ໃນຮູບແບບຂອງໂມດູນ.ຂໍ້ມູນ IHS ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າອັດຕາສ່ວນຂອງໂມດູນແລະທໍ່ດຽວແມ່ນ 3: 1. ໂມດູນແມ່ນຜະລິດຕະພັນ semiconductor modular ທີ່ຜະລິດໂດຍຊິບ IGBT ແລະ FWD (ຊິບ diode ສືບຕໍ່) ຜ່ານຂົວວົງຈອນທີ່ກໍາຫນົດເອງ, ແລະຜ່ານກອບພາດສະຕິກ, ຊັ້ນຍ່ອຍແລະ substrates. , ແລະອື່ນໆ.

Mສະ​ຖາ​ນະ​ການ​ຕະ​ຫຼາດ​:

ບໍລິສັດຈີນມີການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງໄວວາ, ແລະປະຈຸບັນພວກເຂົາແມ່ນຂຶ້ນກັບການນໍາເຂົ້າ

ໃນປີ 2022, ອຸດສາຫະກໍາ IGBT ຂອງປະເທດຂອງຂ້ອຍມີຜົນຜະລິດ 41 ລ້ານ, ຄວາມຕ້ອງການປະມານ 156 ລ້ານ, ແລະອັດຕາທີ່ພຽງພໍດ້ວຍຕົນເອງແມ່ນ 26.3%.ໃນປັດຈຸບັນ, ຕະຫຼາດ IGBT ພາຍໃນປະເທດສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຄອບຄອງໂດຍຜູ້ຜະລິດຕ່າງປະເທດເຊັ່ນ: Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, ແລະ Fuji Electric, ໃນນັ້ນອັດຕາສ່ວນສູງສຸດແມ່ນ Yingfei Ling, ເຊິ່ງແມ່ນ 15.9%.

ຕະຫຼາດໂມດູນ IGBT CR3 ບັນລຸ 56.91%, ແລະສ່ວນແບ່ງທັງຫມົດຂອງຜູ້ຜະລິດພາຍໃນປະເທດ Star Director ແລະຍຸກຂອງ CRRC 5.01% ແມ່ນ 5.01%.ສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງຜູ້ຜະລິດສາມອັນດັບສູງສຸດຂອງອຸປະກອນການແບ່ງປັນ IGBT ທົ່ວໂລກບັນລຸ 53.24%.ຜູ້ຜະລິດພາຍໃນປະເທດໄດ້ເຂົ້າໄປໃນສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດເທິງສິບຂອງອຸປະກອນ IGBT ທົ່ວໂລກທີ່ມີສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດຂອງ 3.5%.


ເວລາປະກາດ: ກໍລະກົດ-08-2023